第29回 企業交流会

産総研ミニマルファブシステム交流会のご案内

開催案内

 第29回企業交流会は,国立研究開発法人 産業技術総合研究所(略:産総研)から提案されている多品種少量および変種変量生産ニーズに対応したミニマルファブシステムによる新しい半導体製造システムを対象に,関連した技術分野の講演及び品質工学適用事例の発表を行い,それらを題材に半導体多品種少量生産システムにおける品質工学の適用による研究開発の促進についての議論を行います。

(2018.1.13 updated)

テーマ 新しい半導体・多品種少量生産システムにおける品質工学の適用を探る
日 時 2018年3月6日(火) 11:20-17:00 (受付開始 11:00)
訪問先 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス部門ミニマルシステムグループ及び一般社団法人ミニマルファブ推進機構(茨城県つくば市梅園1-1-1)
集合場所 産総研つくば中央地区正門入口の守衛所にて受付後,つくば中央第1事業所・共用講堂2階大会議室に集合。
交通手段 下記及び産総研ホームページのアクセス案内などを参考にお越しください。
・つくばエキスプレス 秋葉原駅 10:00発(快速)⇒ つくば駅 10:45着。
 つくば駅よりバスを利用の場合:
  つくばセンターバスターミナル4番バス停 11:00発(学園南循環 -右回り-)⇒ 並木二丁目バス停 11:10着。
 つくば駅よりタクシーを利用の場合:
  つくばセンターバスターミナル内タクシー乗り場 ⇒ 産総研つくば中央地区正門。
定 員 50名
申込締切 2018年2月20日(火) ただし,定員になり次第締め切ります。参加ご希望の方はお早めにお申込みください。
参加費 会員9,000円(懇親会は別途料金4,000円を予定)
主 催 一般社団法人 品質工学会
 

参加申込

 参加ご希望の方は参加申込書に必要事項をご記入の上、FAXにて事務局までお申し込みください。後日,参加券および参加費請求書をお送りします。加費については,請求書に記載の振込先に支払期限までにお振り込みください。
 会場の都合がありますので,定員になり次第,参加申込を締め切ります。特に,モデル工程見学は申込先着30名で締切となります。参加ご希望の方はお早めにお申し込みください。

プログラム

(2018.1.13 updated)

11:20 (1)挨拶:(一社)品質工学会,(一社)ミニマルファブ推進機構
(2)ミニマルシステム概要,ミニマルファブ推進機構及びファブシステム研究会の紹介
(3)ミニマルファブモデル 工程見学(先着30名限定)
12:30 昼食
13:10 基調講演「半導体製造装置のための品質工学
クオリティ・ディープ・スマーツ(責) 吉澤正孝
13:40 事例発表
(1)ボッシュプロセスによる深堀エッチング
(国)産業技術総合研究所 田中宏幸
(2)シミュレーション技術を用いたフォトレジスト断面形状の最適化及びプラズマCVD成膜条件のパラメータ設計
セイコーエプソン(株) 高田 圭
(3)半導体面発光レーザーVCSELの開発
(株)リコー 細川哲夫
(4)ウェハ工程への適用事例 -CMPプロセス工程-
ソニーセミコンダクタソリューションズ(株) 本田忠行
(5)プロセスデバイス・シミュレーションによるスーパージャンクションMOSFETの耐圧安定化設計
ローム・アポロ(株) 藤本武文
15:55 パネルディスカッション「新しい半導体・多品種少量生産システムにおける品質工学の適用を探る」
司会:オムロンオートモーティブエレクトロニクス(株) 南百瀬 勇
パネリスト:講演者,発表者,産総研ミニマルシステムGr 原史朗GL
16:55 閉会挨拶
17:10-18:30 懇親会

 

基調講演・事例発表の概要

基調講演「半導体製造装置のための品質工学」

吉澤正孝

 
 ミニマルファブは,1/2インチウエハーを用いた革新的半導体製造システムである。精密で複雑な多工程半導体製造プロセスを高信頼性でしかも高速度で開発するための品質工学の真髄と組織的活用の勘所を理解する。

発表(1)「ボッシュプロセスによる深堀エッチング」

(国)産業技術総合研究所 田中宏幸

 
 半導体では実験が大がかりなため,品質工学をプロセス開発に使うことがほとんど無かった。ミニマルファブは開発スピードが数十倍にもなるためパラメータ設計(L18)の実用性が高まる。実際,L18でエッチング形状を大幅に改善できた。

発表(2-1)「シミュレーション技術を用いたフォトレジスト断面形状の最適化」

セイコーエプソン(株) 高田 圭

 
 フォト寸法の安定化と目的形状のコントロールを行うための条件最適化にシミュレーション技術を活用したことで,通常2~3か月以上掛かった安定性評価が2日で終わり,大幅な納期短縮ができた。

発表(2-2)「プラズマCVD成膜条件のパラメータ設計」

 セイコーエプソン(株) 高田 圭

 
 ウェハーへの成膜において膜厚は重要なパラメータであるが,本事例では膜厚ではなく,膜そのものの機能に着目した。その結果,膜の機能性を高めることに成功し,またその条件は副次的に膜厚の安定化にもつながることが分かった。

発表(3)「半導体面発光レーザーVCSELの開発」

(株)リコー 細川哲夫

 
 リコーが開発したVCSELは,高い性能と品質を両立実現したことにより,平成27年度の文部科学大臣賞・科学技術賞及び平成29年度のレーザー学会産業賞優秀賞を受賞した。開発上流段階で性能と品質を確保するためにパラメータ設計をシステム考案の手段として活用する方法を報告する。

発表(4)「ウェハ工程への適用事例 -CMPプロセス工程-」

 ソニーセミコンダクタソリューションズ(株) 本田忠行

 
 CMPの工程設計を従来のウェハ状態に合わせて設定値や部材を変更する方法から,品質工学の考え方を取り入れたロバスト設計を実施することで生産性の向上を達成した。

発表(5)「プロセスデバイスシミュレーションによるスーパージャンクションMOSFETの耐圧安定化設計」

  ローム・アポロ(株) 藤本武文

 
 スーパージャンクションMOSFET(以下,SJ-MOS)の製品設計について,品質工学を用いる事で,顧客要求に沿って行っていた製品開発を直線性の改善という全体最適化による技術開発としての方向性を示した。

お問合せ

企業交流会に関するお問い合わせは,品質工学会事務局までお願いします
  品質工学会事務局 中山,金野(こんの) 

  ・ TEL (03) 6268-9355  ・FAX (03) 6268-9350